5月24日，國家電網(wǎng)公司科技部在北京組織召開了國家電網(wǎng)公司科技項目“高壓IGBT芯片表面鈍化工藝研究”項目驗收會。國家電網(wǎng)公司科技部、驗收專家、項目研究團隊等20余人參加了會議。與會專家聽取了項目組的研究工作匯報，認真審閱了工作報告、技術報告、檢測報告、決算報告、審計報告等項目資料，經(jīng)質(zhì)詢與討論，一致認為項目組完成了課題任務書和合同規(guī)定的全部研究內(nèi)容，提交資料齊全、規(guī)范，同意項目通過驗收。

該項目由全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司牽頭，項目組在深入研究鈍化機理的基礎上研究了一款適于項目目標的聚酰亞胺材料，提出了高壓功率芯片的表面鈍化工藝方案，優(yōu)化了聚酰亞胺前清洗、涂覆、光刻、刻蝕及固化關鍵工藝菜單，完成了厚度大于20微米的聚酰亞胺膜層制備工藝研究與加工。

本項目共歷時3年，聯(lián)研院通過方案制定，試驗設計，工藝加工，樣品試制和測試評估，全面掌握了高壓IGBT芯片表面的鈍化工藝，完成了整個鈍化工藝的研究與開發(fā)。目前研究成果已經(jīng)應用到聯(lián)研院的高壓IGBT和FRD樣品之上，試制的3300V/50AIGBT和3300V/100AFRD芯片通過了1000小時的可靠性考核，為直流斷路器等高端電力裝備的全面國產(chǎn)化奠定了基礎。